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- 武红磊 特聘研究员
研究方向:主要从事宽禁带半导体材料的制备及相关器件研究,设计了国内首台宽禁带半导体材料-氮化铝晶体的专用生长炉,并形成了具有知识产权保护的氮化铝晶体生长技术体系,同时进行了器件验证。
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研究方向:主要从事宽禁带半导体材料的制备及相关器件研究,设计了国内首台宽禁带半导体材料-氮化铝晶体的专用生长炉,并形成了具有知识产权保护的氮化铝晶体生长技术体系,同时进行了器件验证。