主要从事硅衬底GaN相关研究，包括MOCVD装备研制、硅上GaN材料生长、InGaN长波段LED制备、LED材料与器件分析、多基色LED封装、LED可见光通信、Micro-LED微显示技术等

张建立，男，湖北黄梅人。2014年毕业于南昌大学材料物理与化学专业，获工学博士学位。现为南昌大学国家工程技术研究中心研究员，教育部发光材料与器件工程研究中心主任，南昌大学“双一流”学科建设发光新材料技术方向负责人。

主要从事硅衬底GaN相关研究，包括MOCVD装备研制、硅上GaN材料生长、InGaN长波段LED制备、LED材料与器件分析、多基色LED封装、LED可见光通信、Micro-LED微显示技术等。主持国家重点研发计划课题、国家自然科学基金青年基金各1项。发表论文、论著20余篇，获授权发明专利6项。