主要从事硅衬底氮化镓基LED材料与器件的研究及产业化工作。现就职于南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心，研究方向：半导体材料生长与器件性能研究

郑畅达，男，博士，副研究员，硕士生导师。2001年毕业于景德镇陶瓷学院热能与动力工程专业获学士学位，2005，2014年毕业于南昌大学分获材料物理与化学专业硕士、博士学位；参与/主持国家及江西省重大专项、国家及江西省自然科学基金等10余项；发表论文50余篇，获授权及申请专利5项。