高光效GaN基和AlGaInP基LED芯片研制、GaN电力电子器件研制以及MicroLED芯片研制。

吴小明，男，博士，江西新余人， 2014年博士毕业于南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心，2015年留校。现为南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心副研究员，江西省发光材料重点实验室主任。在本领域权威杂志美国应用物理快报（SCI二区）、美国应用物理学报以及中国物理快报等杂志发表多篇论文，论文“Hole injection from the sidewall of V-shaped pits into c-plane multiple quantum wells in InGaN light emitting diodes”发表后，作为半导体光电子器件的国际新闻，为英国著名行业杂志《semiconductor today》报道。2018年至今，主持研制的高光效AlGaInP红光LED，经来自全国科研院所、高等院校、检测机构、联盟、协会、学会共12名专家组成鉴定委员会鉴定，达到国际先进水平。