高攀 副研
| 专家姓名: | 高攀 | 职务: | ||
| 职称: | 副研 | 专业类别: | ||
| 研究方向： | ||||
主要从事第三代宽禁带半导体碳化硅晶体以及高电阻率新型压电晶体材料研究 |
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| 自我介绍： | ||||
2010年5月于同济大学物理科学与工程学院博士毕业。目前在中科院上海硅酸盐研究所人工晶体研究中心主要从事第三代宽禁带半导体碳化硅晶体以及高电阻率新型压电晶体材料研究。曾获2010年度获“同济大学优秀博士论文”和上海市“优秀毕业生”。以第一作者发表在Applied Physics Letters, Crystal Engineering Communications, Journal of Alloys and Compounds等期刊发表论文10余篇，申请中国发明专利10项，授权2项。目前承担国家自然科学基金青年基金，上海市自然科学基金青年基金，中国科学院透明光功能无机材料重点实验室项目各一项。 |
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| 所在单位: | 中科院上海硅酸盐研究所 | |||
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