1、氮化镓材料新型功率器件可靠性、工艺与模块研制
2、新型宽禁带光电磁传感器芯片与集成

黄火林， 现任大连理工大学光电工程与仪器科学学院教授、博导。2006年7月和2011年7月于厦门大学物理系分别获得学士和博士学位，2011年8月至2014年10月在新加坡国立大学（NUS）电机工程系（ECE）从事新一代GaN材料功率电子器件研制工作，负责攻关《高压高功率氮化镓材料功率电子器件技术研发》重大项目。该项目典型成果是获得大于3V阈值电压和超过1000V击穿电压性能的常关型（增强型）功率器件，以及基于无金（Au-free）工艺技术的+2V阈值电压和600V击穿电压的常关型功率器件，项目器件指标达到同期国际先进水平。2014年12月被引进大连理工大学，主要继续从事GaN功率电子器件、新型GaN材料光电磁传感器集成技术研究方向，目前建立并领导大连理工大学GaN功率器件团队（包括3位高级职称和2位中级职称专职教师）。在GaN电子器件技术方向，已在IEEE Electron Device Letters、IEEE Transactions on Power Electronics等领域著名期刊和重要国际会议上发表学术论文近五十篇，已经申请或授权发明专利二十余项、国际专利二项（第一发明人、近五年）。