SiC功率器件设计、工艺开发、器件流片制作及可靠性研究

何艳静，女，华山准聘副教授，1987年出生。2011年获得河北工业大学电子科学与技术学士学位，硕博连读于2018年获得西安电子科技大学微电子学与固体电子学博士学位，2019年留校工作。主要从事SiC基功率器件设计、工艺研发、器件制作及相关可靠性问题的研究，作为主要成员参与并完成了国家科技重大专项 、教育部支撑计划等项目。近年来在Journal of alloys and compounds 、 IEEE Electron Device Letters、Solid-State Electronics、Chinese Physics B等国内外重要期刊和会议上发表论文十余篇，申请专利二十余项，授权专利5项。