1. 碳化硅基高压大功率芯片技术
2. 新型脉冲功率器件
3. 功率器件可靠性及其失效机理分析
4. 新型高温半导体器件与电路技术
5.宽禁带功率芯片辐照效应和抗辐照加固技术研究

工学博士、教授、博士生导师，IEEE会员，陕西省青年科技新星。山东临沂人，分别于2009、2010和2012年从西安电子科技大学获得微电子学专业学士学位、 电子科学与技术学科（微电子学与固体电子学专业）硕士和博士学位。2012年留校工作，2015年6月晋升副教授、2018年6月被遴选为博士生导师，2019年6月破格晋升教授，现任宽带隙半导体技术国防重点学科实验室固定研究人员。

主要从事宽禁带半导体材料与器件领域的教学和科研工作，研究方向为碳化硅高压功率器件、碳化硅器件制造工艺、新型功率器件与高温集成电路等领域，先后主持/参与国家重点基础研究发展计划（973计划）、02国家科技重大专项、国家重点研发计划、国家自然科学基金项目、陕西省自然科学基金项目等多项纵向课题，在IEEE T-PEL、IEEE EDL、IEEE T-ED、IET-PE、SST等国际权威期刊发表SCI检索论文50余篇，授权国家发明专利20余项。是IEEE T-PEL、IEEE EDL、IEEE T-ED等国际期刊审稿人。