致力于第三代半导体GaN基材料生长及新型高效蓝绿光及紫外大功率LED、激光器、以及GaN基功率电子器件的研发与产业化。

中国科技大学材料物理和计算机科学与技术双学士（郭沫若校长奖获得者）、美国耶鲁大学博士（耶鲁工学院Becton奖获得者），国家技术发明一等奖获得者，国家优秀青年基金获得者，首批国家特聘青年专家，江苏省“双创人才”，中国电子学会优秀科技工作者。现任中科院苏州纳米所研究员、博导、器件部副主任。长期致力于硅基III族氮化物半导体材料生长与光电子及功率电子器件制备研究。通过与企业的产学研实质性合作，带领团队研发出硅衬底GaN基高效LED的外延及芯片技术，并在全球率先产业化，年销售逾4亿元。2016年成功研制出国际上首支硅衬底GaN基激光器，入选中国光学重要成果和科技部高新技术领域创新进展报告。近5年来主持承担了国家重点研发计划课题、863计划课题、中科院前沿科学重点研究项目、中科院科技服务网络STS计划区域重点项目、江苏省重点研发计划项目等。迄今为止，在NaturePhotonics、Light: Science & Applications等国际学术期刊上发表了100余篇学术论文，是30余项美国和中国发明专利的发明人。应邀在国际氮化物半导体学术会议和产业论坛上作特邀报告40余次。现兼任中国物理学会发光分会第十四届委员会委员、中国激光杂志社青年编辑委员会委员、《半导体学报》第十二届编辑委员会委员、《发光学报》第一届青年编辑委员会委员、SEMI中国功率及化合物半导体委员会委员。