张进成 教授
| 专家姓名: | 张进成 | 职务: | ||
| 职称: | 教授 | 专业类别: | ||
| 研究方向： | ||||
宽禁带半导体(GaN)器件、材料与设备 微波毫米波太赫兹集成电路与工艺 超宽禁带半导体(金刚石、氧化镓、氮化铝)器件、材料与设备 石墨烯及二维半导体器件与材料 柔性新能源与可穿戴器件 |
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| 自我介绍： | ||||
博士，二级教授，博士生导师，教育部长江学者特聘教授，国家万人计划领军人才，卓越青年基金获得者，国务院政府特殊津贴专家，陕西省三秦学者特聘教授。现任西安电子科技大学校长助理、宽禁带半导体器件与集成电路国家工程研究中心副主任、宽带半导体技术国家级重点实验室副主任，曾担任ICNS、DRIP、APWS等国际学术会议电子器件分会主席，微电子学院副院长。主要研究领域为宽禁带与超宽禁带半导体材料与器件，发表SCI论文300余篇，出版专著3部，授权发明专利80余项，成果6次被国际著名杂志Semiconductor Today专题报道。获得国家技术发明二等奖2项（排名第一和第二），省部级科技一等奖4项以及国家教学成果一等奖1项 |
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| 所在单位: | 西安电子科技大学 | |||
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