长期从事宽禁带GaN基半导体材料、器件及可靠性研究，特别是在晶圆级横向多孔GaN半导体材料的可控制备、高带宽 GaN 基光通信器件及可靠性和失效机理等方面取得了一系列有意义的成果。

博士生导师。2005年于英国诺丁汉大学物理天文学院获得哲学博士学位，随后到英国剑桥大学材料冶金学院GaN研究中心工作，2007至2009年初在英国FORGE-EUROPA工作，2009年5月加入中国科学院半导体研究所，同年入选中国科学院第一届“引进杰出技术人才”计划，是科学院青促会首批会员，2020年获中国电子学会“优秀科技工作者”荣誉称号, 天津市”创新人才推进计划中青年科技创新领军人才计划”。