1 氮化物半导体材料的生长技术；
2 GaN基深紫外LED材料与器件；
3 新型GaN基异质结材料技术。

2010年博士毕业于西安电子科技大学微电子学与固体电子学专业，师从郝跃院士，目前是宽禁带半导体国家工程技术中心郝跃院士团队氮化镓基半导体材料生长与光电器件方向的核心成员，在氮化镓半导体领域，作为核心成员先后参与完成多项国家级及省部级项目，曾创新性地提出了多项材料及器件外延生长的新方法及新结构，得到多项处于国际领先水平的材料指标。获得国家发明专利十余项，发表论文十余篇。