化合物半导体外延以及其在氮化物LED等光电子器件中的应用，涉及使用MBE、MOCVD、HVPE等方法生长III-V族化合物，主要包括氮化物的同质衬底、LED外延材料以及LED器件制备等领域。

1975年6月出生。1997年于内蒙古大学物理系获得理学学士学位，2000年于北京科技大学材料物理系获得工学硕士学位，2003年于中国科学院半导体研究所获得工学博士学位。2003－2005年在中国电子科技集团公司五十五所从事材料生长工作。2005年4月至今在半导体所工作。