郭炜 副研究员
| 专家姓名: | 郭炜 | 职务: | ||
| 职称: | 副研究员 | 专业类别: | ||
| 研究方向： | ||||
主要研究第三代（宽禁带）半导体材料的制备、特性、相关光电子及电力电子器件的设计开发和应用。材料体系包括GaN、AlGaN、AlN、氧化镓等。重点研究方向： 1. 高铝组分AlGaN 、AlN的薄膜外延及固态紫外发光器件、探测器 2. 氮化物极性调控及新型半导体器件开发 3. 半导体设备开发 4. 微纳加工及微纳光学 |
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| 自我介绍： | ||||
2016-02~现在, 中国科学院宁波材料技术与工程研究所, 副研究员 2015-02~2016-02,美国应用材料有限公司, 工艺工程师 |
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| 所在单位: | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | |||
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