长期从事硅、化合物半导体晶体生长，稀土半导体、硅基半导体材料制备；半导体材料中杂质与缺陷行为，界面、表面物理化学；半导体材料与器件性能关系，纳米半导体材料、高k材料和红外光学材料等方面研究。研究课题包括半导体单晶生长中的传质、传热过程，硅外延生长动力学，半导体材料中的缺陷与杂质，半导体材料表面物理化学，三元系化合物半导体晶格动力学，稀土半导体材料结构相变，锗硅半导体材料的制备技术，纳米半导体材料制备及性能评价，高k栅介质材料缺陷及界面稳定性研究，红外光学材料制备及性能研究，半导体材料检测技术等。

1969年毕业于天津大学；1983年获英国巴斯大学固体物理学博士学位；1994年11月-1995年7月美国北卡罗莱纳州立大学高级访问学者。2007年当选为中国工程院院士。现任北京有色金属研究总院名誉院长。

中国科学技术协会常务委员会委员，中国材料研究学会副理事长，中国有色金属学会副理事长、中国稀土学会副理事长、中国半导体行业协会副理事长。