在半导体薄膜点缺陷的研究中取得多个重大进展，发展了非晶Si及其合金薄膜的热平衡理论，在Si3N4薄膜中发现存在有N-Pair的新型点缺陷，并建立了Si基薄膜表面缺陷的衍生机制；在纳米电子输运机理方面，拓展了纳米半导体叠层的量子共振遂穿理论。1984年，参与研制出国内第一个效率达到4.4%的a-Si p-i-n薄膜电池；创新了InP基双重掺杂-漂移机制和Si基新型径向异质结的新型太阳电池；目前保持有效率为22.4%的Si基平面异质结太阳电池的国内记录，已具备产业化的技术能力。

湖南岳阳人，光电薄膜材料与器件、新能源领域专家，目前为北京工业大学学术委员会委员、材料学科学术委员会主任。1984年本科毕业于兰州大学物理系获理学学士学位，1989年留学日本、师从国际半导体知名学者清水立生教授，1993年获国立金泽大学理学博士学位；历任过日本NEC株式会社外国人特别研究员、香港中文大学电子工程系博士后研究员；1996年加盟北京工业大学，创立薄膜科学与技术研究室，是创建北京工业大学材料学科的主要成员之一，1998年破格晋升教授、博士生导师，为北京工业大学材料学科、物理学科等多学科的建设和发展作出了重要贡献，并参与组建了多个省部级重点实验室、国家和北京市多个重点和交叉学科，是多个省部级学术创新团队以及国家、地方和企业重要课题的负责人。