主要研究方向：ZnO材料生长、物性调控及应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。

叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。现任浙江大学材料科学与工程系主任。浙江省特级专家、浙大求是特聘教授、博士生导师。兼任国家自然科学基金委信息科学部半导体学科评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。1999-2009年曾任浙江大学材料科学与化学工程学院副院长。1997-2009年曾任浙江大学硅材料国家重点实验室主任。
1977年考入浙江大学电机系，1982年1月获学士，1984年获浙大光仪系硕士，1987年获光仪系博士；毕业后留校工作，1990－1992年作为、高级访问学者、留学美国麻省理工学院(MIT)；1994年晋升为教授；1996年选为博导。1988年进入浙大硅材料国家重点实验室，一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：ZnO材料生长、物性调控及应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。
多年来围绕国家光电信息技术和节能技术目标，完成20余项国家与省部级科研项目。负责完成 “十五”国家“973”课题和国家自然基金重点项目各1项；目前在研包括”973”课题、国家自然基金重点项目、面上基金及省部级科研项目10余项。
国际上较早开展ZnO研究。1989年ZnO研究结果发表在国际期刊Applied Optics上；1990年“ZnO:In透明导电薄膜”获浙江省科技三等奖。在ZnO薄膜制备、p型掺杂与LED室温电致发光；ZnO纳米结构可控生长与场发射应用；ZnO:Ga透明导电薄膜等方面取得了重要创新成果；其中“ZnO基材料生长、p型掺杂与室温电致发光研究”获2006年浙江省科技一等奖、2007年国家自然科学二等奖；“基于纳米管、纳米线的低维结构材料可控生长与应用基础研究”获2007年浙江省科技一等奖。
高真空CVD薄膜技术及应用研究取得重要成果。合作创建了国内第一台超高真空CVD设备，自主研发了超高真空CVD和高真空MOCVD两大类创新薄膜系统，发展了低温CVD工艺；研制了优质Si、SiGe和GaN等晶体薄膜材料与器件；整套技术在全国50多家大学和科研单位推广应用，效益重大；3项成果获省部级科技二等奖，其中浙江省科技发明二等奖1项，教育部二等奖2项。
10项成果获得奖励，其中国家自然科学二等奖1项，浙江省科技一等奖2项，省部级科技二等奖3项；浙江省鉴定成果5项；授权国家发明专利36项；发表论文400多篇，其中国际权威期刊Adv. Mater.1篇，APL30篇；被SCI收录200余篇、EI收录100余篇，论文被他引1700余次，其中SCI他引1200余次；国际大会报告40多次，其中邀请报告15次，包括美国MRS秋季大会邀请报告。
1994年被评为国家重点实验室全国先进工作者并获“金牛奖”；1995年选为浙江省首批“中青年学术带头人”；1996年入选教育部“跨世纪优秀人才培养计划”；1997年入选国家“百千万人才工程”；1997年享受国务院特殊津贴。2006年被聘为浙大首批求是特聘教授；2007年评为浙江省突出贡献中青年专家；2008年选为浙江省特级专家和浙江省优秀留学回国人员。