宽禁带半导体材料和器件

2000年和2006年在西安电子科技大学分别获得电子科学与技术专业学士学位和博士学位，博士导师为郝跃院士。硕士/博士生导师，现为国家级科技创新人才，郝跃院士宽禁带半导体团队金刚石方向带头人。

近年来主持国家重点研发计划项目，国家自然科学基金重点项目等多项国家级项目。发表SCI论文70余篇，授权国家发明专利40余项，获得省部级一等奖两项。系统构建了我国金刚石超宽禁带半导体核心技术，研制出高性能微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）设备和大尺寸高质量金刚石材料，金刚石制备技术专利ZL201710805891.1等得到转化应用。提出了氢终端金刚石表面电导输运理论，发现了制约输运特性的关键机制，促成金刚石表面电导近年来提升一个数量级；研制出了高性能金刚石MOSFET器件，研究论文[IEEE Electron Device Lett. 38, 786；IEEE Electron Dev Lett 38 (9), 1302 (2017)]是微电子旗舰刊物IEEE Electron Device Letters对中国金刚石场效应管成果的首次和第二次报道；提出了一种超高纯金刚石表面终端调制辐射探测器结构，研制出高性能金刚石辐射探测器，研究论文[Appl Phys Lett 116 (9), 092104 (2020); IEEE Electron Dev Lett 43 (3), 454 (2022) ]分别是这两种期刊对中国金刚石辐射探测器研究成果的首次报道。