非金属电热元件：
其他金属电热元件：
其他烧结气氛：
其他温控精度：
≤±0.5℃最高温度：
1100℃（石英砂）1250℃（碳化硅）额定温度：
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设备型号：M51200-1/UM
主要用于半导体器件制程中的掺杂、氧化、推阱、退火、合金、薄膜沉积等工艺。
技术参数：
主要用于半导体器件制程中的掺杂、氧化、推阱、退火、合金、薄膜沉积等工艺。
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