MiniLED光电特性测试

MiniLED芯片在被封装前后，需要经过检测工序，以剔除其中的不合格品。其中，光电性能检测是非常重要的指标参数。光电性能检测是指对晶圆上的芯片，或者封装后的成品，对其电压(V)、电流（I），V_FD，波长(WD)、亮度(LOP)、抗静电能力(ESD)，等光电性性能逐一进行测试，得到实际数值，进而为后续加工生产提供可靠的产品实际性能信息。由于Mini   LED具有尺寸小，使用数量大等特性，因此，其光电特性测试也提出了新的要求。

高精度微弱电流

由于MiniLED本身的特性，正向点亮测试时，输入电流较小，一般在mA，甚至uA级；反向高压漏电流测试，电流甚至低至nA级。精确稳定地输出与测量电流，是获取准确测试结果数据的先决条件。

高效率

MiniLED生产工艺效率要求高，预留给芯片的电性能测试时间，一般控制在十几ms以内。高效快速的输出与检测电压、电流，是提升生产效率的重要保证。

广泛兼容性

Mini   LED测试，往往需采用自动化设备来进行，且测试项目包含电压，电流等电特性参数，以及光谱，光功率等光性能参数。广泛的软硬件兼容性，有助于终端用户，根据实际测试要求，选配不同测试仪器，以及自动化设备。

利用数字源表进行Mini LED光电特性测试

实施MiniLED光电特性参数分析的Z佳工具之一是数字源表（SMU）。数字源表作为独立的恒压源或恒流源，输出恒压或恒流、还可以当作表，进行电压或者电流测量；支持Trig触发，可实现与光谱仪，探针台，分选机等第三方设备联动工作。

目前，光电性能检测是通过Mini   LED点测机实现的，用于测量晶圆上每一颗芯片。点测机的主要结构单元包括探针台，电性能测试单元，光性能测试单元，以及上位机控制系统等。该工序根据实际情况，位于晶圆划片前，或者后工序。设备基本构成主要包括探针台，电子显微镜，SMU，ESD，工控机，积分球，光谱仪等。其中，SMU的作用是对芯片进行IV特性测试，同时在光学测试中，对芯片进行供电。

常用的电性能测试项目包括，V_F1,V_F2,I_R,V_Z,V_FD,D_VF等。

⑴ V_F（正向电压）测试， FIMV： 一般会测两个点， D一个点V_F1为 LED刚点亮时电压， 第二个点V_F2为LED 正常工作时的电压；
⑵ V_Z（反向击穿电压）测试， FIMV：一定反向电流时，器件两端的电压;
⑶ I_R（反向泄露电流）测试， FVMI： 一定反向电压时， 流过器件的电流；
⑸ D_VF 测试，材料热缩效应测试， FIMV： 对LED施加两次不同的电流，并计算不同条件下的电压差；
⑹ V_FD 测试，正向电压暂态峰值电压测试， FIMV： 对LED施加一定的正向电流，同时采集电压变化，   尖峰电压与正常电压的差值即为V_FD；                                          

miniled光电特性测试数字源表认准生产厂家武汉普赛斯仪表，详询一八一四零六六三四七六；武汉普赛斯一直专注于半导体，LED，激光器的光电性能测试仪表开发，基于核心算法和系统继承等技术平台优势，S先自主研发了高精度数字源表、脉冲式源表、窄脉冲源表、集成插卡式源表，Mini LED源表测试系统等产品，广泛应用在半导体，LED，激光器等产品的生产、研发、测试场景。可够根据用户的需求提供高性能，高效率，高性价比的半导体，LED，激光器测试系统级解决方案。miniled光电特性测试数字源表认准生产厂家武汉普赛斯仪表