参考价格
面议型号
场发射扫描电镜 SEM4000Pro品牌
国仪量子产地
北京样本
暂无探测器:
旁侧二次电子探测器(ETD) 低真空二次电子探测器(LVD) 插入式背散射电子探测器(BSED)加速电压:
200 V ~ 30 kV电子枪:
肖特基热场发射电子枪电子光学放大:
1 ~ 1,000,000 x光学放大:
-分辨率:
0.9 nm @ 30 kV,SE看了场发射扫描电镜 SEM4000Pro的用户又看了
虚拟号将在 180 秒后失效
使用微信扫码拨号
SEM4000Pro是一款分析型热场发射扫描电子显微镜,配备了高亮度、长寿命的肖特基场发射电子枪。三级磁透镜设计,束流**可达200 nA,在EDS、EBSD、WDS等应用上具有明显优势。标配低真空模式,以及高性能的低真空二次电子探测器和插入式背散射电子探测器,可观察导电性弱或不导电样品。标配的光学导航模式,以及直观的操作界面,让您的分析工作倍感轻松。
01配备高亮度、长寿命的肖特基热场发射电子枪
02分辨率高,30 kV 下优于 0.9 nm 的极限分辨率
03三级磁透镜设计,束流可调范围大,**支持 200 nA 的分析束流
04无漏磁物镜设计,可直接观察磁性样品
05标配低真空模式,以及高性能的低真空二次电子探测器和插入式背散射电子探测器
06标配的光学导航模式,中文操作软件,让分析工作更轻松
应用案例
产品参数
关键参数 高真空分辨率 0.9 nm @ 30 kV,SE 低真空分辨率 2.5 nm @ 30 kV,BSE,30 Pa 1.5 nm @ 30 kV, SE, 30 Pa 加速电压 200 V ~ 30 kV 放大倍率 1 ~ 1,000,000 x 电子枪类型 肖特基热场发射电子枪 样品室 真空系统 全自动控制 低真空模式 **180 Pa 摄像头 双摄像头 (光学导航+样品仓内监控) 行程 X=110 mm,Y=110 mm,Z=65 mm T: -10°~+70°,R: 360° 探测器和扩展 标配 旁侧二次电子探测器(ETD) 低真空二次电子探测器(LVD) 插入式背散射电子探测器(BSED) 选配 能谱仪(EDS) 背散射衍射(EBSD) 插入式扫描透射探测器(STEM) 样品交换仓 轨迹球&旋钮控制板 软件 语言 中文 操作系统 Windows 导航 光学导航、手势快捷导航 自动功能 自动亮度对比度、自动聚焦、自动像散
暂无数据!
摘要:硬脂酸镁是制药界广泛应用的药物辅料,因为具有良好的抗粘性、增流性和润滑性在制剂生产中具有十分重要的作用,作为常用的药用辅料润滑剂,比表面积对硬脂酸镁有很大的影响,硬脂酸镁的比表面积越大,其极性越
2022-07-05
陶瓷材料具有高熔点、高硬度、高耐磨性、耐氧化等一系列特点,被广泛应用于电子工业、汽车工业、纺织、化工、航空航天等国民经济的各个领域。陶瓷材料的物理性能很大程度上取决于其微观结构,是扫描电镜重要的应用领
2022-09-27
4月1日,由湖南大学分析测试中心与国仪量子联合主办,深圳速普仪器有限公司、长沙凯普乐科技有限责任公司协办的“国仪电镜论坛暨湖南大学电子显微技术交流会”在湖南大学分析测试中心成功举行。本次会议吸引了湖南
引言 为更好地激励在科研领域辛勤探索、努力拼搏的科研工作者,同时助力光探测磁共振事业发展,国仪量子决定对使用本公司ODMR系列产品,发表高水平学术文章的科研工作者给予现金奖励。2025年OD
国仪量子电镜在芯片金属栅极刻蚀残留检测的应用报告一、背景介绍 在芯片制造工艺中,金属栅极刻蚀是构建晶体管关键结构的重要环节。精确的刻蚀工艺能够确保金属栅极的尺寸精度和形状完整性,对芯片的性能
国仪量子电镜在芯片后道 Al 互连电迁移空洞检测的应用报告一、背景介绍 随着芯片集成度不断攀升,芯片后道 Al 互连技术成为确保信号传输与芯片功能实现的关键环节。在芯片工作时,Al 互连导线
国仪量子电镜在芯片钝化层开裂失效分析的应用报告一、背景介绍在半导体芯片制造领域,芯片钝化层扮演着至关重要的角色。它作为芯片的 “防护铠甲”,覆盖在芯片表面,隔绝外界环境中的湿气、杂质以及机械应力等不利