SilcoNert®2000（6，444，326和6，511，760）是非晶硅的化学保护屏障，其进一步官能化以提供可用的*惰性表面。通过应用化学气相沉积（CVD），SilcoNert®2000非常适用于硫化物，汞，氨或其他活性化合物的痕量级测试精度（<百万分之一）。

特色与优势

? 非视距工艺；所有孔和复杂的几何形状都能被涂层

? 消除吸附和再测试

? 获得更快的校准

? 对结果充满信心

SilcoNert®2000 规格

薄膜材质：表面烃化的氢化非晶硅

镀膜工艺：热化学气相沉积法(非等离子法)

使用温度：450°C（惰性气体），400°C（氧化性气体）

基板要求:兼容性:不锈钢合金，陶瓷，玻璃，钛及大多数特殊金属

尺寸:不超过78英寸(198厘米)

形状:不限，可镀任何复杂三维结构

标准厚度：100 - 500 nm

疏水性（接触角）：>= 65°

允许接触的pH值 ：0 - 8