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GSL-300-PLD激光镀膜设备
GSL-300-PLD激光镀膜设备

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辽宁

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沈阳科晶自动化设备有限公司

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产品简介:用于制备超导薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、超硬薄膜等。广泛应用于大专院校、科研院所进行薄膜材料的科研与小批量制备。与同类设备相比,其不仅应用广泛,且具有体积小便于操作及清理方便的优点,是一款实验室制备材料粉末的理想设备。

产品型号

GSL-300-PLD(Pulsed Laser Deposition)

安装条件

本设备要求在海拔1000m以下,温度25℃±15℃,湿度55%Rh±10%Rh下使用。

1、水:设备配有自循环冷却水机,水温小于25℃,水压0.25-0.4Mpa,流量高于12 l/min(加注纯净水或者去离子水)

2、电:AC380V 50Hz,功率大于10KW,波动范围:小于±6必须有良好接地(对地电阻小于2Ω);

3、气:设备腔室内需充注氮/氩气(纯度99.99%以上),需自备氮/氩气气瓶(自带?10mm双卡套接头)及减压阀

4、场地面积设备尺寸2000mm×2000mm,承重1000kg以上

5、通风装置:需要(外排废气管道);

主要特点

1由于激光光子能量很高,可溅射制备很多困难的镀层:如高温超导薄膜,陶瓷氧化物、氮化物薄膜,多层金属薄膜等;

2、体积小,操作简便可以非常容易的连续融化多个材料,实现多层膜制备

3、可以通过控制激光能量和脉冲数,精密的控制膜厚

4、易获得期望化学计量比的多组分薄膜,即具有良好的保成分性;

5、沉积速率高,试验周期短,衬底温度要求低,制备的薄膜均匀;

6、工艺参数任意调节,对靶材的种类没有限制;

技术参数

1、极限真空度:≤6.67x10-5Pa (经烘烤除气后);

2、系统真空检漏漏率:≤5.0x10-7 Pa.l/S;

3、系统短时间暴露大气并充干燥氮气后,再开始抽气,20分钟可达到5x10-3 Pa;

基片参数

1、基片尺寸:可放置φ1″基片(带挡板)

2、基片加热**温度 800℃±1℃,由热电偶闭环反馈控制,采用抗氧化材料作加热器;

3、基片可连续回转,转速5~60转/分,电机驱动磁耦合机构控制;

4、基片与靶台之间距离30~90mm可调

转靶参数

1、每次可以装四块靶材,靶材尺寸:φ1″;

2、每块靶材可实现自转,转速5~60转/分,连续可调

3靶通过电机控制换位,靶材屏蔽罩将4块靶材屏蔽,每次只有一个靶材露出溅射成膜,以避免靶材之间的交叉污染

真空腔体

1、球型真空室尺寸Ф300mm,选用优质不锈钢材料制造,氩弧焊接,表面进行特殊工艺抛光处理,接口采用金属垫圈密封或氟橡胶圈密封;

2、真空腔体带RF150活开门,方便取、放样品;

3、RF63法兰2套1套紫外石英玻璃窗口用于激光器,另1套盲板红外石英玻璃窗口用于测温可选配);

4、RF63光学玻璃窗口1(用于观察);

产品规格

整机尺寸:1800mm×1000mm×1600mm

标准配件

1

电源控制系统

1

2

真空获得机组

1

3

真空测量

1

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