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| 名称 | 规格 | 图示 |
| HPV-06 茎流量传感器 | 原理：热脉冲速率法（HPV）范围：-200~+1000cm/hr(热流速度) 分辨率：0.001cm/hr 准确度：±0.1cm/hr 探针尺寸：φ1.3mm*L30mm 温度位置：外10mm，内20mm 针距：6mm 温度范围：-30~+70℃ 响应时间：200ms 加热电阻：39Ω，400J/m 电源：12V DC 信号输出：SDI-12 线缆：5m，*大60m | |
| SF3 植物茎流传感器 | 工作原理：热脉冲（Heat Pulse Velocity） 测量范围：-10～+200 cm/hr 分辨率：0.0001 cm/hr 准确度：0.2 cm/hr 针直径：1.27mm 针长度：35mm 针间距：6mm 热敏电阻的位置5mm(内)、17.5mm(中)、30mm(外) 温度传感器和加热器规范 类型：10K精密电阻和10K热敏电阻 温度范围：-40～+80℃ 分辨率：0.001℃ 准确度：±0.2℃ 线缆长度：标配5米 | |
| SF-4M 茎流量传感器 | 茎秆直径：1~5mm 流量范围：0~12mL/h 分辨率：0.01mL/h 准确度：±0.1mL/h 预热时间：300s 工作环境：0~50℃ 尺寸：30mm*30mm*40mm 电源：10~30V DC 标准线缆：4m长，可选择10m | |
| SF-5M 茎流量传感器 | 茎秆直径：4~10mm 流量范围：0~12mL/h 分辨率：0.01mL/h 准确度：±0.1mL/h 预热时间：300s 工作环境：0~50℃ 尺寸：30mm*35mm*40mm 电源：10~30V DC 标准线缆：4m长，可选择10m | |
| DE-1T 树木生长变化传感器 | 茎秆直径范围：>60mm 茎秆变化测量范围：0~10mm 分辨率：0.005mm 温度响应：< 0.02% /℃ 工作环境：0~50℃ 预热时间：5s 电源：10~30V DC 功耗：<1.5W 防护等级：IP64 尺寸：90 W × 60 H × 23 Dmm 测量杆尺寸：160 L × 4Φ 螺纹管口尺寸：10 L × 5Φ 标准线缆：4m长，可选择10m | |
| DC3 树干周长生长变化传感器 | 适用于树干直径：>5厘米 传感器的测量范围：25毫米 复调测量范围：无限 精度：±3.3微米±0.12% 分辨率：0.4~6微米 线性系数：0.7% 钢丝绳热膨胀系数：<1.4×10-6/K 温度系数：<0.1微米/K 工作环境：-30~+70℃，0~100%RH 电缆长度：标准5米，*大100米 | |
| DD-S 茎干直径生长变化传感器 | 适用于茎干直径：<5厘米 传感器的测量范围：11毫米 复调测量范围：0~5厘米（可扩大） 精度：±2微米±0.12%（视数据采集器） 分辨率：<0.001微米 线性系数：1% 温度系数：<0.1微米/度 工作环境：-25~+70℃，0~100%RH 电缆长度：标准5米，*大可100米 | |
| DRO 植物根茎生长变化传感器 | 适用于根直径范围：0~20毫米 测量范围：11毫米 分辨率：0.1~2.6微米 精度：±0.12%~±1%（视数据采集器） 温度系数：<0.2微米 线性系数：<1% 使用环境：土壤中、水下或雪中 供电：无需额外的电源适配器 工作环境：-25~+70℃，0~100%RH 电缆长度：标准5米，*大可100米 | |
| FI-MT 果实生长传感器 | 测量范围：7~45mm 分辨率：0.019mm 准确度：±0.1mm 温度响应：< 0.02% /℃ 工作环境：0~50℃ 预热时间：5s 电源：10~30V DC 功耗：<1.5W 防护等级：IP64 标准线缆：4m长，可选择10m | |
| FI-ST 果实生长传感器 | 测量范围：15~90mm 分辨率：0.038mm 准确度：±0.2mm 温度响应：< 0.02% /℃ 工作环境：0~50℃ 预热时间：5s 电源：10~30V DC 功耗：<1.5W 防护等级：IP64 标准线缆：4m长，可选择10m | |
| FI-LT 果实生长传感器 | 测量范围：30~160mm 分辨率：0.065mm 准确度：±0.3mm 温度响应：< 0.02% /℃ 工作环境：0~50℃ 预热时间：5s 电源：10~30V DC 功耗：<1.5W 防护等级：IP64 标准线缆：4m长，可选择10m | |
| FI-XSM 果实生长变化传感器 | 茎秆直径范围：4~30mm 茎秆变化测量范围：0~10mm 分辨率：0.005mm 温度响应：< 0.02% /℃ 工作环境：0~50℃ 电源：10~30V DC 功耗：<1.5W 防护等级：IP64 尺寸：110*40*15mm 标准线缆：4m长，可选择10m | |
| SD-5T 植物茎秆生长变化传感器 | 茎秆直径范围：5~25mm 茎秆变化测量范围：0~5mm 分辨率：0.002mm 预热时间：5s 温度响应：< 0.02% /℃ 工作环境：0~50℃ 电源：10~30V DC 功耗：<1.5W 防护等级：IP64 标准线缆：4m长，可选择10m | |
| SD-6T 植物茎秆生长变化传感器 | 茎秆直径范围：20~70mm 茎秆变化测量范围：0~5mm 分辨率：0.002mm 预热时间：5s 温度响应：< 0.02% /℃ 工作环境：0~50℃ 电源：10~30V DC 功耗：<1.5W 防护等级：IP64 标准线缆：4m长，可选择10m | |
| LT-1T 叶面温度传感器 | 测量范围：0~50℃ 分辨率：0.01℃ 准确度：<0.15℃ 公分差：±0.08℃ 热敏电阻接触面积：~1mm2 电源：10~30V DC 线缆长度：4m长，可选择10m | |
| SF421 叶面温度传感器 | 测量范围：-50~+70℃ 准确度：±0.1℃@0~+70℃ ±0.2℃@-25~0℃ ±0.4℃@-50~-25℃ 重复性：<0.05℃ 长期漂移：<0.02℃/年 电源输入：5.5~24VDC 信号输出：SDI12 | |
| LWS1 叶面湿度传感器 | 量范围：0~100% 响应时间：800ms 工作温度：-40~+80℃ 信号输出：SDI-12 电源：6-16VDC | |
| SI-111 | 测量范围：-60～+110℃ 分辨率：0.01℃ 精度：±0.2℃@-20～+65℃ ±0.5℃@-40～+80℃ 重复性：±0.05℃ 响应时间：＜1 秒@目标温度变化 光学镜头：锗镜头 波长范围：8-14 μm | |
| SE-100-SS 光照度传感器 | 参考标准：CIE 1931 测量范围：0 ~200000Lux 灵敏度：0.001mV/Lux 响应时间：1ms 校正因子：1000Lux/mV 校正不确定度：± 5 % 重复性 ：＜ 0.5% 长期漂移：＜ 2%/year 非线性 ：＜ 1% 方向响应：±2 % @ 45°， ±5 %@ 75° 温度响应：-0.15/℃ 尺寸：φ24mm;H37mm | |
| SQ-110 光量子传感器 | 光谱范围：410-655nm 测量范围：0-4000μmol/m 2/s 灵敏度 ： ~0.2mV/μmol/m 2/s 输出：0-800mv 重复性：＜ 0.5% 长期漂移：＜ 2%/year 非线性 ：＜ 1% 响应时间：＜1 mS 方向响应 ：±5 %@ 75° 温度响应：0.06±0.06 %/℃ | |
| SP-110 硅光总辐射传感器 | ISO 9060:2018：Class C 波长 ：360-1120 nm 测量范围：0~2000W/㎡ ***精度：±5% 重复性 ：＜ 1% 长期漂移：＜ 2%/year 非线性 ：＜ 1% 在 0-1750W/㎡ 响应时间 ：软件更新每一秒 视场角 ：180 ° 方向响应@75°：±5% 温度响应：-0.04±0.04% /℃ | |
| BL-JFS 净辐射传感器 | 光谱范围：0.3μm-50μm 测量范围：-200～1600W/m2 灵敏度：3～14μV/W/m 分辨率：1W/m2 时间响应（95%）：＜ 30 S 双面灵敏度的允差：＜10% 内 阻：约200Ω 线缆长度：5m 工作环境：-40-+80℃，无冷凝 | |
| SN-500 净辐射仪/四分量净辐射计 | 测量范围：短波：0-2000W/m2 长波：-200~200W/m2 光谱范围：上短波：385～2105nm 下短波：295～2685nm 长波：5000～30000nm 灵敏度：～57μV/W/m2（上短波） ～150μV/W/m2（下短波） ～120μV/W/m2（长波） 响应时间：<0.5s（95%） 零点偏移：～17.5W/m2（上短波） ～6.7W/m2（下短波） ～8.5W/m2（长波） 重复性：＜ 1% 长期漂移：2%/year 非线性误差：＜ 1% 非稳定性（年变化）：±5% 温度响应：：＜ 5%(在-15～+45℃时) 视角：上短波辐射传感器 180° 下短波辐射传感器 150° 长波辐射传感器向上 180° 内置的温度传感器：PT-100 铂电阻 输出：SDI12 | |
| SO411 土壤氧气传感器 | 测量范围：0~100.00%O 2 重复性：＜0.1%/mV 输出在 20.95 %O 2 非线性：＜0.1% 长期漂移：1.0mV/year 耗氧速率：2.2 μmol/O 2 / day@ 20.95 %O 2 和 23℃ | |
| EE872 二氧化碳传感器 | 原理：双波长 NDIR 测量范围：0-2000ppm：<±（50ppm+2%mv） 0-5000ppm：<±（50ppm+3%mv） 0-10000ppm：<±（100ppm+5%mv） 0-30000ppm：<±（450ppm+2%mv） 0-50000ppm：<±（750ppm+2%mv） 温度依赖性：±（1+CO2 浓度【ppm】/1000）ppm/℃@<10000ppm 时 -0.3%mV/℃@>10000ppm 时 压力依赖性：0.014%mV/mbar（基于 1013mbar） 电源：12-30VDC | |
| GMP343 土壤二氧化碳传感器 | 探 头：Vaisala CARBOCAP® 测量原理：单光束双波长NDIR 量程选择:0～2000ppm/0～5000ppm 分辨率：1ppm 厂家标定后精度（0.5%气体）：±2.5%读数 在CO2标定点：±1.5%读数 ±5ppmCO2@300ppm以下 短期稳定性（6小时）：±5ppmCO2，（在350ppmCO2） 长期稳定性：±2%读数/每年； ±2%读数/6个月； ±2%读数/3个月 温度依存度（300ppm以上）：无补偿：±0.35%读数/℃ ，有补偿：±0.15%读数/℃ 湿度依存度：无补偿：＜1000ppm，+0.04%读数/g/m3H2O；>1000ppm，+0.06%读数/g/m3H2O 有补偿：±0.006%读数/g/m3H2O 压力依存度：无补偿：+0.15%读数/hPa 有补偿：±0.07ppm/hPa 流过性流量依存度：0.3%读数/升/分钟 | |
| 5TE 土壤三参数传感器 | 体积含水量范围：0-100.00％VWC 分辨率： 0.0008 m3/m3 或 0.08% VWC (0 准确度：矿质土： ± 0.03 m3/m3 或±3%VWC( EC＜10dS/m)； 多孔介质：± 0.01～0.02 m3/m3 或±1-2% VWC(单独校准后) 土壤温度范围：-40～＋60℃ 分辨率： 0.1℃ 准确度：±1℃ 土壤盐分范围：0～23dS/m(bulk) 分辨率： 0.01 dS/m 准确度：±10% @ 0～ 7 dS/m，7 dS/m 以上需要使用者校准 | |
| TEROS 12 土壤水分、温度、电导率传感器 | 范围：矿物土校准：0-70%VWC 非土壤介质校准：0-100.00％VWC 分辨率：0.1% VWC 准确度：矿质土： ± 0.03 m3/m3 或±3%VWC( EC＜8dS/m)； 多孔介质：± 0.01～0.02 m3/m3 或±1-2% VWC(单独校准后) 土壤温度范围：-40～＋60℃ 分辨率： 0.1℃ 准确度：±1℃ 表观介电常数εa 范围：1(空气) - 80(水) 分辨率：0.1εa@1-20; <0.75εa @20-80 准确度：±1εa@1-40（土壤范围）;±15%@40-80 土壤盐分范围：0～20dS/m(bulk) 分辨率： 0.001 dS/m 准确度：± (5%+0.01 dS/m)@0~10 dS/m ；± 8%@10~20 dS/m | |
| TDR315H 土壤水盐热传感器 | 土壤体积含水量：0～100.00％VWC 分辨率：0.1％ VWC 重复性（RMS 偏差）：0.07% 准确度：±1％ (粗介质)；±2.5％ (细介质) .土壤温度：-40～+60℃ 分辨率：0.1℃ 准确度：±0.25℃ 土壤体积电导率：0～5000μS/cm 孔隙水电导率：0~55000μS/cm 分辨率：1 μS/cm 重复性（RMS 偏差）：3 μS/cm 准确度：±25 μS/cm@0~1000μS/cm ±2.5%@1000~2000μS/cm ± 5%@2000~5000μS/cm | |
| CR300 数据采集器 | 采集通道：9通道（包括、数字和脉冲） 测量电压范围：-100mV～+2500mV 控制输入输出(SE1～SE4)：输入高电平(2.1V～3.3V) 电压激发输出通道：(EX1，EX2) 数字端口：C1，C2和SDI-12 数据通信端口:1个RS-232和1个USB 存储：配置文件存储：80MB flash30 M 数据存储5 M CPU 和程序2 M 操作系统 工作环境：-40~+70℃ | |
| CR1000X 数据采集器 | *大扫描速率：100KHz 模拟输入：16个单端通道（8个差分） 脉冲通道：2个 控制端子: 数字I/O，RS232/RS485 CPU: 32bit，FPU，100Hz，1MB运存 内存: 128MB，通过MicroSD卡扩展8GB 时钟精度: ±3分钟/年；10μm（选配GPS） 测量分辨率: 0.02μV RMS 模拟精度: ±（0.04%读数+漂移） 工作温度: -40~70℃ |
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