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CMOS X射线相机由单个半导体硅片制成，可直接探测可见光或配合闪烁晶体用于探测X光和其它高能辐射。针对不同应用，可配备不同厚度Gadox或针状CsI闪烁体，是医学诊断，工业检测，科学成像的理想解决方案，标准能量测试范围为不超过220KV，根据客户要求，能量可到400KV，采用Camera Link接口，全分辨率下**可到65帧/秒
| 有效面积(mm) | 114.9x64.6 |
| 分辨率 | 1536x864 |
| 像素尺寸（μm） | 74.8/149.6/299.2；依赖于不同的binning |
| MTF@6lp/mm | 大于20%；(150μm HR CsI without binning） |
| DQE | ~0.7 at 0.5lp/mm (28 kV， W / Al) |
| Binning | 1 x 1， 1 x 2， 2 x 2， 1 x 4， 2 x 4， 4 x 4 |
| 工作模式 | 提供低噪声及高动态范围两种 |
| 动态范围 | 6400-2400；依赖于不同的工作模式及binning |
| 帧速 | 32-191；依赖于不同的binning及数据接口 |
| ADC分辨率 | 14位 |
| 计算机接口 | Camera Link或千兆以太网 |
| 外形尺寸(mm) | 241 x 150 x 42 |
| 重量(kg) | 1.9 |
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