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该装备是将石墨制品、碳毡或SiC粉体等通过高温焙烧和工艺气体定向流动，经过物理扩散、化学反应使杂质元素从基体中排出，形成灰分含量低（5ppmw）、金属含量降到PPB数量级，从而达到半导体晶体生长对石墨品质（或粉体原料）要求的工艺过程。
技术参数
**温度： 2500℃ 常用工作温度：2200℃
温度均匀度：≤±5℃ 仪表控温精度：±1℃
抽真空时间：≤120min
| 有效工作空间( mm) | **温度(℃) |
| 840-840-660 | 2200 |
| Φ1380-900 | 2500 |
| Φ1300-820 | 2500 |
| Φ1300-1050 | 2500 |
| Φ1400mm-1050 | 2500 |
| Φ1400mm-2000 | 2500 |
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