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◆ 设备具有大尺寸、高抽速的真空设计;◆ 配备先进的液面距测量、宽幅炉压精确控制、氧化物处理等系统;◆ 生长晶体可满足12英寸重掺硅片、12-18英寸硅单晶耗材指标的要求。
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