产品介绍

1.半导体芯片制造领域，硅晶片表面处理工艺，在曝光的过程中，表面平整才能有效避免光的散射来实现图像转移，采用化学机械研磨法，能够实现标准的工艺要求，在半导体芯片的硅晶片制作工艺进入到毫米级后需采用化学机械研磨法，使硅晶片表面的平整程度达到制作的工艺要求。

2. 硅晶片与研磨垫相对运动过程会产生摩擦，从而会使研磨垫的温度上升。温度会升到80℃。研磨垫的温度范围30℃～75℃，研磨垫的温度低于30℃或高于75℃时，会使研磨液与硅晶片表面的化学反应特性变差，影响硅晶片表面的平整度，需配置一台化学机械CMP研磨冷却水降温设备来控制水温。

3. 化学机械CMP研磨冷却水降温设备提供低温冷水对CMP研磨机中抛光带的冷却装置降温，解决了CMP研磨机使用过程中抛光带温度比较高的问题，冷却装置包括一个冷水箱，水泵，冷水箱与抛光带抛光工作面的接触.能有效降低工作过程中抛光带的温度。

设备的应用

硅晶片双面化学机械CMP研磨抛光自带的冷却装置的降温是利用化学机械CMP研磨冷却水降温设备提供的冷源，调节系统和显示控制系统,通过显示面板即可实时监测工作温度，冷却水沿冷却通道对下磨盘进行冷却,有效地控制了硅晶片的加工温度,提高了硅晶片CMP研磨抛光的表面质量,降低了硅晶片碎片率。

产品优势

化学机械CMP研磨冷却水降温设备作为化学机械CMP研磨过程中研磨抛光的温度控制系统，通过控制抛光的温度使得硅晶片在抛光程中的温度得到控制，良品率等保持在理想状态，延长研磨抛光的使用时间，有效提高硅晶片的平整性和稳定性.