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1万元以下型号
101706-101711品牌
MKNANO产地
江苏南京样本
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99.99%目数：
1nm品级：
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背景介绍：
目前制备高质量石墨烯的方法，有胶带剥离法、碳化硅或金属表面外延生长法和化学气相沉积法（CVD），前两种方法效率低，不适于大量制备。而迄今由CVD法制备的石墨烯，一般是由纳米级到微米级尺寸的石墨烯晶畴拼接而成的多晶材料。
石墨烯优异的电、光、强度等众多优异性质使其在电子学、自旋电子学、光电子学、太阳能电池、传感器等领域有着重要的潜在应用，但大规模高质量制备技术是制约其进入实际应用的瓶颈之一。
牧科纳米技术团队经过长时间的技术攻关，不用昂贵的金属基体，在常见的铜衬底，以低浓度甲烷和高浓度氢气通过常压CVD法，成功制备出了100微米到几个毫米级六边形单晶石墨烯及其构成的石墨烯薄膜。而且可以转移到任意衬底上，方便取用。
该方法转移的单晶石墨烯具有很高的质量，将其转移到Si/SiO2基体上制成场效应晶体管，测量显示该单晶石墨烯室温下的载流子迁移率可达7100cm2V-1s-1。
常见的铜基体上生长大尺寸单晶石墨烯及其薄膜技术的突破，为石墨烯基本物性的研究及其在高性能纳电子器件、透明导电薄膜等领域的实际应用奠定了材料基础。
石墨烯单晶表征数据：
100um级别石墨烯单晶在铜衬底上的光学显微镜照片：
单晶尺寸100um2
11月25日，记者从中科院上海微系统与信息技术研究所获悉，该所信息功能材料国家重点实验室研究员谢晓明领导的石墨烯研究团队在国家重大专项“晶圆级石墨烯材料和器件基础研究”等项目的支持下，在国际上首次实现
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目前制备高质量石墨烯的方法，有胶带剥离法、碳化硅或金属表面外延生长法和化学气相沉积法（CVD），前两种方法效率低，不适于大量制备。而迄今由CVD法制备的石墨烯，一般是由纳米级到微米级尺寸的石墨烯晶畴拼
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