半导体行业中废水中溶解氨的去除是通过氨与硫酸反应生成硫酸铵原理来进行的。结合测量的pH值进行在线密度测量，可以实时控制废水处理工艺，并保证维持立法限制。

半导体行业中使用的工艺化学品通常会含有诸如NH₃，H₂S或NOx之类的溶解气体，在释放到市政废水系统之前必须进行处理。对于氨水（NH₃），废水排放标准必须低于一定限值。InGaN 芯片的 EPI 工艺在很大程度上污染了氨水。为了避免罚款，必须从废水中去除溶解的氨。由于NH₃的高溶解度，因此不能像CO₂或O₂那样使用吹扫气 - 真空组合进行去除。现代水处理采用“膜接触”技术。 

去除NH₃的膜接触技术通过添加硫酸（H₂SO₄）起作用。H₂SO₄立即与废水中的氨反应生成硫酸铵（NH₄）₂SO₄。氨与硫酸化学反应生成硫酸铵的方程式：

2NH₃ + H₂SO₄ →（NH₄）₂SO₄

NH₃可以高效地从废水中去除，而添加化学药品不会额外污染废水。

图 1：跨膜化学吸附 

如图1所示，废水不与硫酸直接接触。为了避免添加的化学物质混合，在废水和酸之间设置了膜。

带有氨的废水流过膜外部的壳侧。硫酸在管腔侧循环。氨穿过膜并与硫酸反应生成硫酸铵（NH₄）₂SO₄，其在酸回路中积累。去除铵后，废水流入污水系统进行进一步处理。生成的硫酸铵将从液体中分离出来并出售作进一步处理。

用于工艺控制的在线密度传感器L-Dens 7400版本TAN。钽在所有温度和浓度下均耐硫酸和硫酸铵。