编号：CPJS02819
篇名：WD-50表面改性对粉体Zeta电位的影响
作者：郑彩华；
关键词：表面改性； 无机粉体； Zeta电位；
机构： 清远职业技术学院机电工程学院；
摘要： 本文采用硅烷偶联剂WD-50对SiC、Si3N4和SiO2三种无机粉体进行表面改性,主要研究了改性前后粉体的Zeta电位,并对SiC粉体改性前后进行了XRD和FT-IR分析。结果表明,改性后粉体的Zeta电位发生了显著变化,其主要原因是表面包覆了一层偶联剂,使粉体的表面结构以及表面荷电性质发生了改变。改性粉体Zeta电位的变化与偶联剂主要官能团有关,WD-50含有-NH2,能使粉体颗粒表面吸附H+变成-NH3+,从而使改性粉体的等电点向中性偏碱性移动,且在酸性区域的Zeta电位提高。
