编号：FTJS05190
篇名：沉积温度对Cu_2O薄膜生长过程及光电性能的影响(英文)
作者：董金矿； 徐海燕； 陈琛；
关键词：Cu2O薄膜； 沉积温度； 晶粒尺寸； 成核密度； 禁带宽度；
机构： 安徽建筑大学材料与化学工程学院；
摘要： 以硫酸铜为铜源,采用一步化学浴沉积法制备出了晶粒尺寸可调的纳米晶Cu2O薄膜。通过X射线衍射、扫描电镜和紫外可见分光光度法研究了沉积温度对薄膜晶体结构、成核密度、晶粒尺寸、薄膜厚度和光电性能的影响。结果表明,当在60~90℃范围内调节温度时,能够很好地控制晶粒尺寸、薄膜厚度,并将禁带宽度控制在33~51 nm、392~556 nm和2.47~2.61 eV范围内;随着晶粒尺寸的减小,紫外可见光谱的吸收边有明显的蓝移。此外还对薄膜的生长过程,成核密度和颗粒尺寸变化的机理进行了讨论。
