编号：FTJS05371
篇名：光辐射悬浮区熔法Tb_2PdSi_3单晶生长及磁性能
作者：徐义库； 刘林； 张军； L·SER Wolfgang； FRONTZEK Matthias；
关键词：悬浮区熔； 单晶生长； 稀土化合物； 磁性能；
机构： 长安大学材料科学与工程学院； 西北工业大学凝固技术国家重点实验室； 莱布尼兹固态及材料科学研究所； 德累斯顿工业大学固态物理所；
摘要： 采用光辐射加热悬浮区熔法以3 mm/h的生长速度成功制备了Tb2PdSi3单晶。通过分析得知,该化合物为同成分熔融化合物,熔点约为1700℃。和其它R2PdSi3型化合物(R为稀土元素)不同,在单晶基体中没有发现TbSi沉淀,分析原因可能是因为晶体中Tb含量略高于化学计量比。采用X射线Laue背散射实验对晶体的晶格结构和高完整性进行了验证,并对定向单晶的a和c方向磁化率-温度曲线进行了测定。
