编号：CPJS03466
篇名：掺钕氟化钇锂多晶料的合成与晶体生长
作者：郑东阳； 方旭光； 崔亚军； 李春； 曾繁明； 林海； 刘景和；
关键词：掺钕氟化钇锂； 多晶料； 干法； 晶体生长；
机构： 长春理工大学光电功能材料教育部工程研究中心； 北京雷生强式科技有限责任公司；
摘要： 采用干法(稀土氧化物与无水HF气体高温反应)合成Nd∶LiYF4(Nd∶YLF)多晶料。通过X射线衍射仪对多晶料的物相结构进行表征,确定了多晶料合成最佳工艺参数。发现稀土氟化物原料中氧化物杂质的存在对生长晶体有很大影响,直接采用未经处理的氟化物原料生长晶体,会在晶体表面出现白色包裹物。因此,在HF气氛下,经1 200℃热处理才能去除残留在氟化物原料中的氧化物杂质,保证生长晶体的质量。实验确定了生长YLF晶体的最佳组分配比是LiF与YF3的摩尔比为53∶47。以最佳组分配比,采用提拉法生长了Nd∶YLF晶体。结果表明:以最佳组分配比生长的Nd∶YLF晶体具有高的纯度和光学性能;在808nm二极管激光器泵浦下,位于1 047和1 053nm处的发射峰(4 F3/2→4 I11/2)均有较强的荧光发射。
