光伏硅线切割废料制备反应烧结SiC陶瓷

编号：FTJS05628

篇名：光伏硅线切割废料制备反应烧结SiC陶瓷

作者：王艳香； 孙健； 肖剑翔；

关键词：光伏硅切割废料； 反应烧结SiC陶瓷； 工艺条件； 性能；

机构： 景德镇陶瓷学院；

摘要： 以光伏硅切割固体废料为主,外加碳化硅粉、炭黑、胶体石墨在真空烧结炉中制备反应烧结碳化硅。主要分析了线切割固体废料化学组成、物相组成、显微形貌和粒度分布等,并研究了炭粉的种类和硅的含量对反应烧结碳化硅陶瓷的影响。结果表明:该切割废料中的主晶相为Si和6H-SiC,其中Si的含量为60.00%,SiC含量为25.00%,Fe的含量3.51%,Cu的含量0.08%,其他物质为11.47%。切割废料的体积平均粒径约为11.16 μm,表面积平均粒径为1.95 μm,D50为6.34 μm。烧成温度为1600℃采用真空烧结,当配方中硅的含量为30.00%时,采用炭黑为碳源,制得样品体积密度为2.67g/cm3,吸水率为2.30%,显气孔率6.10%,相同配方采用的炭粉为胶体石墨时,试样的体积密度2.39 g/cm3,吸水率8.88%,显气孔率21.23%。