石墨烯纳米带p-i-n结构太赫兹探测器的设计

编号：NMJS05403

篇名：石墨烯纳米带p-i-n结构太赫兹探测器的设计

作者：王祖英； 温中泉； 袁伟青； 高杨；

关键词：石墨烯； 纳米带； 太赫兹； 探测器；

机构： 重庆大学新型微纳器件与系统技术国防重点学科实验室； 中国工程物理研究院电子工程研究所；

摘要： 研究了石墨烯纳米带横向p-i-n结构探测器对太赫兹波的响应特性,基于载流子输运方程和泊松方程,建立了考虑迁移、扩散、生成、复合等载流子运动的太赫兹探测器数学模型。根据该模型,对石墨烯纳米带横向p-i-n结构的太赫兹波响应进行了仿真,获得了反向栅压诱导生成的p-i-n二极管的能带图;进而探讨了纳米带宽度、i区长度及偏置电压对响应电流的影响,分析表明石墨烯纳米带带隙随宽度增大而减小,响应频率减小;i区长度与载流子寿命匹配时响应电流达到峰值;光电流随偏置电压的增大而增大,并趋于饱和。