编号：CPJS03656
篇名：二氧化钒粉体的制备及其应用研究
作者：钟诚 ;赵丽 ;王世敏 ;董兵海 ;吕杨 ;吴思齐
关键词：VO2 粉体 制备 应用
机构：
摘要： 二氧化钒（VO2）在相变温度68℃附近具有良好的半导体-金属相变（MIT）特性,在相变的同时光学及电学等性能也随之发生改变。本文简要介绍了VO2光学和电学性能,综述了现阶段VO2粉体的制备方法及其应用的研究进展。
