编号：CPJS03657
篇名：利用晶硅切割废砂浆制备 SiC 粉体
作者：杨昱桢 ;向道平 ;何雨翔
关键词：晶硅废砂浆 真空碳化 SiC粉末 XRD SEM
机构： 海南大学材料与化工学院热带岛屿资源先进材料教育部重点实验室
摘要： 以光伏产业晶硅切割废砂浆为主要原料,通过真空碳化法制备了 SiC 粉末。在通过物理和化学方法测定废砂浆组分含量的基础上,确定了初始原料 Si/C 配比。随后,利用 XRD 和 SEM 分别研究了真空热处理温度、无机碳源种类等对所制备粉末的物相和组织的影响,产物粉末的粒径分布范围通过激光粒度仪测试。研究表明,在900~1100℃温度范围,随着反应温度的升高,硅粉与活性炭的碳化反应越来越完全,并在1100℃完全生成了 SiC 粉末。继续升温,X 射线衍射峰的强度逐渐升高,SiC 产物粉末的粒度越来越大。此外,不同碳源在相同条件的碳化反应结果表明,活性炭作为碳源比石墨效果更佳。
