编号：NMJS05524
篇名：用于GaN薄膜生长的γ-LiAlO2晶体基片制备工艺研究
作者：郑威 ;齐涛 ;姜凯丽
关键词：铝酸锂晶体 氮化镓薄膜 表面粗糙度 二氧化硅 抛光
机构： 哈尔滨理工大学材料科学与工程学院,哈尔滨150040
摘要： 研究了铝酸锂晶体的化学机械抛光工艺。自制了SiO2悬浮液作为抛光剂,主要研究抛光过程中抛盘转速、抛光时间以及抛光压力等系列抛光工艺参数对抛光晶片表面质量的影响规律。通过优化抛光工艺参数获得了适宜制备氮化镓薄膜的铝酸锂晶体基片,最小的表面粗糙度为2.695 nm。结合氮化镓薄膜的制备条件,对抛光好的铝酸锂晶体基片采用退火的方法去除生长态晶体的热应力和机械应力。利用扫描电子显微镜研究了退火后晶片的表面质量,同时用激光共聚焦技术研究了晶体表面腐蚀坑的三维形貌。退火处理导致了铝酸锂晶体表面腐蚀坑的数目和深度增加。随着退火温度的升高和退火的保温时间的增加,铝酸锂晶体中锂元素挥发,晶体表面质量下降。但是适当的保温时间能够改善铝酸锂晶体的完整性,释放在晶体生长和试样制备过程中存在的热应力和机械应力,改善了晶体质量。
