编号：CPJS03767
篇名：二氧化硅源对活性氧化镁水化的抑制机制
作者：张雨 ;桑绍柏 ;李亚伟
关键词：氧化镁 水化 硅酸钠
机构： 武汉科技大学省部共建耐火材料与冶金国家重点实验室,湖北武汉430081
摘要： 为了探明不同二氧化硅源对抑制MgO水化的机制，以d50为6．119μm的活性氧化镁粉为主要原料，d50=0．111μm的纳米SiO2粉和硅酸钠为二氧化硅源，在25℃恒温条件下制备了水与固体粉质量比为8：1的氧化镁-氧化硅悬浮液，借助pH仪、电感耦合等离子体发射光谱仪、X射线衍射仪及热重-差热仪等设备并结合热力学分析探讨了纳米SiO2粉、Na2SiO3对悬浮液中活性氧化镁水化的抑制作用。结果表明：随着纳米SiO2粉引入量（W）由20％增加到60％，活性氧化镁的水化程度降低；添加0．3％～0．6％（W）硅酸钠可以有效抑制活性氧化镁的水化，当添加量为0．6％（W）时，活性氧化镁的水化率最低；添加Na2SiO3能显著增加悬浮液中SiO2-的质量浓度，同时使该悬浮液的pH升高到11．4～12．0，从而有效抑制氢氧化镁的生成。
