编号：SBJS00466
篇名：基于不同衬底的二氧化硅可调复用器/解复用器的单片集成芯片研究
作者：代红庆[1] ;安俊明[1] ;王玥[1] ;张家顺[1] ;王亮亮[1] ;王红杰[1] ;李建光[1] ;吴远大[1
关键词：可调复用器/解复用器 石英衬底和硅衬底 阵列波导光栅 热光可调光衰减器
机构： [1]中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室,北京100083; [2]河南仕佳光子科技有限公司,河南鹤壁458030
摘要： 分别设计制备了基于石英衬底和硅衬底的16通道200 GHz二氧化硅可调复用器/解复用器.该器件由一个16通道200 GHz的阵列波导光栅（AWG）和Mach-Zehnder干涉型热光可调光衰减器（VOA）阵列构成.在衰减量达到20 dB的时候,基于石英衬底的器件的外加偏压和功耗分别是11.7V和110 mW;而基于硅衬底的器件的外加偏压和功耗分别是22V和380mW.分析了基于不同衬底的器件性能出现差别的原因,并设计了新的结构,提高了器件性能.
