编号：CPJS03840
篇名：增强型GaN MOSFET的制备及其绝缘栅的电荷特性研究
作者：周桂林[1] ;张金城[1] ;沈震[1] ;杨帆[1] ;姚尧[1] ;钟健[1] ;郑越[1] ;张佰君[1] ;敖
关键词：氮化镓 二氧化硅 场效应管 等离子增强化学气相沉积 陷阱 正向偏压
机构： [1]中山大学物理科学与工程技术学院、光电材料与技术国家重点实验室,广州510275; [2]德岛大学科学技术学院,日本德岛708502
摘要： 采用ICP干法刻蚀和PECVD沉积技术,制备了增强型Si衬底SiO2/GaN MOS栅场效应晶体管（MOSFET）。SiO2/GaN MOSFET转移特性曲线测试中出现阈值电压不稳定现象,针对其阈值电压稳定性问题,采用正向电压偏置方法对SiO2/GaN MOSFET的绝缘栅电荷特性展开研究。正向电压偏置后,器件的转移特性曲线和高频C-V特性曲线均正向偏移,研究表明：SiO2/GaN之间存在的界面态和靠近SiO2/GaN界面的SiO2内部陷阱是造成SiO2/GaN MOSFET阈值电压不稳定的原因,实验研究结果同时表明氮气1 000℃快速热退火（RTA）对SiO2内部陷阱有改善作用。
