编号：NMJS05555
篇名：模拟分析SiH4和N2O产生等离子体加强化学沉积制备SiO2薄膜
作者：陈心园[1] ;黄建[1] ;邓伟[1] ;王维[1] ;周筑文[1]
关键词：粒子模拟实验 硅烷 笑气 二氧化硅 等离子体加强化学沉积(PECVD) SiO2薄膜
机构： [1]贵州师范学院物理与电子科学学院,贵州贵阳550018
摘要： 通过等离子体粒子模拟实验（PIC）,成功模拟了硅烷（SiH4）和笑气（N2O）的等离子体加强化学沉积（PECVD）制备SiO2薄膜的过程.模拟实验过程分析了电离后各种离子的动能、以及鞘层的空间和能量分布.分析这些物理参量,对比SiH4和N2O的等离子体加强化学沉积实验中的化学反应式,模拟实验结果从动能、能量空间分布的角度都能合理地解释等离子体加强化学沉积制备SiO2薄膜的实验过程,通过这些粒子模拟实验（PIC）,从理论上合理地解释了使用SiH4和N2O形成SiO2薄膜的一些形成机制.
