资料中心

SiO_2基底表面VO_2薄膜的生长模式及相变性能分析

编号:CPJS03927

篇名:SiO_2基底表面VO_2薄膜的生长模式及相变性能分析

作者:岳芳[1] ;黄婉霞[1] ;施奇武[1] ;邓贤进[2] ;王成[2] ;张敬雨[1] ;李丹霞[1]

关键词:二氧化钒薄膜 二氧化硅基底 溶胶凝胶 微观结构 相变性能

机构: [1]四川大学,四川成都610064; [2]中国工程物理研究院,四川绵阳621900

摘要: 采用无机溶胶-凝胶法在二氧化硅基底上制备不同厚度的二氧化钒薄膜,通过X射线光电子能谱、X射线衍射和场发射扫描电子显微镜分析薄膜的化学组成和微观结构,并利用变温傅里叶变换红外光谱对薄膜在红外波段的相变性能进行检测。结果发现:薄膜均沿(110)晶面择优生长;随厚度增加,其结晶度提高,表面晶粒明显增大,大小分布越不均匀,并导致薄膜在红外波段的低温和高温透过率均降低,滞后温宽变窄,相变陡然性增强。

最新资料
下载排行

关于我们 - 服务项目 - 版权声明 - 友情链接 - 会员体系 - 广告服务 - 联系我们 - 加入我们 - 用户反馈