Al掺杂对SiC粉体微波介电性能的影响

编号：FTJS00537

篇名：Al掺杂对SiC粉体微波介电性能的影响

作者：李智敏; 周万城; 苏晓磊; 罗发; 黄云霞;

关键词：SiC粉体; Al掺杂; 固相反应; 介电性能;

机构： 西安电子科技大学技术物理学院; 西北工业大学凝固技术国家重点实验室; 西安工程大学机电工程学院;

摘要： 采用高温固相反应法,以Al粉和SiC粉为原料合成Al掺杂SiC粉体。通过X射线衍射分析和拉曼光谱对合成粉体进行了表征。结果表明,当反应温度高于1900℃时,合成产物中未出现Al的杂质相。在2000℃时,相对较多的Al原子进入到SiC晶格形成Al-SiC固溶体。在8.2～12.4GHz频率范围,采用波导法对未掺杂和掺杂SiC粉体的介电常数进行了测试。结果表明,Al原子掺杂形成Al-SiC固溶体,可以有效地提高SiC粉体的微波介电性能。