编号：FTJS05979
篇名：PI/Al_2O_3/SiO_2杂化薄膜的力学及电学性能
作者：陈高汝[1] ;林家齐[1,2] ;李东平[3] ;冯峰[3] ;杨文龙[1]
关键词：聚酰亚胺 纳米二氧化硅 纳米氧化铝 力学性能 电学性能
机构： [1]哈尔滨理工大学应用科学学院,黑龙江哈尔滨150080; [2]工程电介质及其应用教育部重点实验室,黑龙江哈尔滨150080; [3]哈尔滨理工大学化学与环境工程学院,黑龙江哈尔滨150040
摘要： 采用原位聚合法制备掺杂无机粒子质量分数从1%~5%的PI/Si O2/Al2O3纳米杂化薄膜.通过SEM发现无机纳米Al2O3和纳米Si O2颗粒在聚酰亚胺基体中有很好的相容性和分散性,其颗粒尺寸大约在100 nm左右.采用万能试验机和宽频介电谱分析仪研究不同浓度Al2O3和Si O2的掺杂对PI薄膜的力学性能和电学性能的影响.当质量分数为3%的时候,杂化薄膜力学性能最佳,具有最大的拉伸强度（36.143MPa）和断裂伸长率（10.88%）.并且在100Hz下它相比于其它含量的杂化薄膜,具有最小的介电常数（6.76）、介电损耗（0.01）和电导率（3.94×10-12S·m-1）.
