编号：FTJS05995
篇名：退火温度对氧化铝薄膜性质的影响
作者：谭惠月[1] ;刘国侠[1,2] ;刘奥[1] ;单福凯[1,2]
关键词：溶胶-凝胶 氧化铝 薄膜
机构： [1]青岛大学物理科学学院,青岛266071; [2]青岛大学纺织新材料与现代纺织国家重点实验室培育基地,青岛266071
摘要： 随着集成电路中晶体管特征尺寸的逐渐减小,目前场效应晶体管栅介质SiO2的厚度已经减小到纳米量级,隧道效应产生的较大漏电流使得SiO2栅介质丧失了良好的绝缘效果[1]。由于高介电常数材料（高k材料）可以在保持电容密度不变的同时增大栅介质的物理厚度[2,3],因此使用高k材料替代SiO2作为栅介质层是目前最有希望解决此问题的途径。为维持半导体产业继续依照摩尔定律向前发展,高k栅介质层已经成为当前的研究热点[4,5]。在众多的高k材料中,Al2O3因具有良好的综合性质而倍受瞩目,
