编号：FTJS06051
篇名：Si4＋掺杂对Gd1.6 WO6：Eu^3＋0.4支荧光粉发光特性的影响
作者：耿耀辉[1] ;徐生艳[2] ;张颖涛[1] ;袁虎臣[1] ;李岚[2]
关键词：GDL 6W06 Eu8^荧光粉 晶体对称性 发光强度
机构： [1]天津理工大学理学院,天津300384; [2]天津理工大学材料物理研究所天津300384,天津300384;
摘要： 采用高温固相法合成了不同Si^4＋掺杂比例的Gd1.6（W1-xSix）O6：Eu^3＋0.4荧光粉，分析了Si^4＋。掺杂对Gd1.6 WO6：Eu^3＋0.4荧光粉晶格结构的影响，研究了不同Si^4＋掺杂比例下的XRD谱、激发光谱、发射光谱和衰减曲线。结果发现：Si^4＋的掺杂改变了基质的结构，使得激活剂离子Eu^3＋周围的晶体场改变，从而改变了荧光粉的发光效率，当Si^4＋的掺杂浓度达到0．4mol时，晶体对称性最差，粉体发光强度最大。根据发射光谱和衰减曲线计算了样品的J-O强度参数和无辐射跃迁几率，结果表明适量的Si^4＋掺杂可以抑制无辐射跃迁，提高发光强度。计算结果与实验结果相符
