编号：CPJS04152
篇名：近紫外光LED芯片用红色荧光粉SrIn2O4:Eu3+,Sm3+的制备及性能研究
作者：龚文丽 ;钟瑞霞 ;齐建全 ;刘自然 ;张晓燕
关键词：近紫外激发 红色荧光粉 SrIn2O4 Eu3+,Sm3+
机构： 东北大学秦皇岛分校资源与材料学院;东北大学秦皇岛分校河北省电介质与电解质重点实验室;河北科技师范学院凝聚态物理研究所
摘要： 利用高温固相法制备了Eu3+、Sm3+单掺杂及共掺杂的SrIn2O4荧光材料.通过XRD、激发光谱、发射光谱等对SrIn2O4∶Eu3+、Sr In2O4∶Sm3+、Sr In2O4∶Eu3+,Sm3+进行表征。结果表明,Sr In2O4∶Eu3+在近紫外光395 nm激发下能够有效的产生616 nm的红光发射.在Sr In2O4∶Sm3+体系中发现,该系列样品适合于407 nm的紫光激发,发射峰位于607 nm.在Sr In2O4∶Eu33+Sm3+体系中,通过光谱分析发现,基质中存在Eu3+和Sm3+激活剂之间的相互能量传递过程.该能量传递过程使Sr In2O4∶Eu3+,Sm3+更适合于390410 nm紫外芯片激发的LED用红色荧光粉。
