编号：FTJS06515
篇名：粉体合成方法对CaCu3Ti4O12陶瓷介电性能的影响
作者：高璐 ;李建英 ;贾然 ;侯林林 ;武康宁 ;李盛涛
关键词：CaCu3Ti4O12陶瓷 粉体合成 介电性能 晶界电阻 缺陷结构
机构： 西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室,西安710049
摘要： 为了深入研究粉体合成方法对CaCu3Ti4O12（CCTO）陶瓷介电松弛机理以及缺陷结构的影响,对比了固相反应法和溶胶凝胶法合成CCTO陶瓷的介电性能,并且在此基础上引入了CCTO陶瓷的缺陷结构分析。采用固相反应法和溶胶凝胶法合成了CCTO粉体,在1 080℃下烧结4h制备了CCTO陶瓷样品。溶胶凝胶法合成陶瓷的平均晶粒尺寸是固相法合成陶瓷试样的5倍。J-E特性和介电性能分析表明,溶胶凝胶法合成陶瓷的击穿场强（170V/cm）远小于固相法合成陶瓷（4 980V/cm）,且前者的介电损耗和介电常数均达到后者的20倍左右。结合介电损耗因子的曲线拟合结果和阻抗谱分析得到,溶胶凝胶法合成陶瓷的晶界电阻为0.272 MΩ,是固相法（1.03MΩ）的1/3,松弛峰强度是固相法的15倍;两种陶瓷样品的本征松弛峰活化能和晶粒活化能均接近,说明粉体合成方法能够影响CCTO陶瓷的晶界电阻和松弛峰强度,进而影响其宏观电性能,但是对陶瓷的本征松弛机理没有影响。
